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氦质谱海外npv加速试用在继电器和集成电路外壳中的应用

更新时间:2021-06-24 点击数:917

随着航天技术的发展,泄漏问题已成为航天产品设计和制造的关键因素,越来越多的受到各方关注,相关电子元器件漏率检测已经引起科研人员的高度重视,目前应用检漏技术的主要是为密封继电器、集成电路外壳。

利用氦质谱海外npv加速试用可以方便地对密封继电器作漏率测定。针对不同的产品,采用合适的检漏方法。

目前用密封继电器的漏率检测主要是GJB360A-96的112实验程序。实验程序中明确规定了密封继电器的检漏条件及步骤,本次主要讨论背压法检漏属于检漏步骤中的细检漏。

继电器的背压检漏法一般分为三步:

1加氦压:将被检继电器放入充氦的压力罐中;

2净化:从压力罐中取出继电器,用氮气流或者空气流吹净继电器表面吸附的氦气。

3检漏:将继电器放入海外npv加速试用的检漏盒中进行检测,若继电器有漏,压入内腔的氦气会经过漏孔进入海外npv加速试用,仪器上会有漏率显示。

氦质谱海外npv加速试用中明确规定,选择的加压压力,加压时间,较大停留时间应使被检样品的规定漏率大于海外npv加速试用的较小可检漏率。因为漏孔太大时,加氦压时压入的氦气在检漏前的抽真空状态就已抽光,故捡不到氦。采用氟油法对原来油泄漏进行检测,以确定是否存在较大的泄漏孔。


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